中国驻俄罗斯大使张汉晖1月24日在俄罗斯媒体发表署名文章就美国出于国内政治需要加大对华打压、对中国半导体产业展开疯狂“围剿”表示，无理霸凌终将失败，中俄携手共创新局。

    据中国驻俄罗斯大使馆发布消息，张汉晖当天在俄罗斯《劳动报》发表署名文章《美国半导体制裁闹剧：无理霸凌终将失败，中俄携手共创新局》。

    文章说，近来，美国出于国内政治需要加大对华打压，对中国半导体产业展开疯狂“围剿”，包括无理要求台积电限制对华出口7nm以下芯片，将136家中国实体增列至“制裁实体清单”等。2024年12月23日，美国贸易代表办公室（USTR）宣布对华启动301调查，重点针对中国成熟制程芯片，宣称其削弱美国关键产供链安全，对美国经济构成潜在威胁。美国借口所谓“不公平竞争”蓄意遏制中国发展早已为世人皆知，不仅中国坚决反对，也被国际社会所不齿。

    中国大使认为，中俄都是科技大国，两国科技合作潜力巨大、前景广阔。在两国元首的战略引领下，中俄始终坚持面向未来、共创共享、开放包容、优势互补的科技创新合作理念，扎实推进基础研究领域合作，不断加大联合研发项目力度，为助力自身经济社会可持续发展提供强大支撑和强劲动力。

    张汉晖指出，与此同时，中俄共同倡导全球科技合作与公平竞争，反对技术封锁与科技霸凌。中俄有足够的底气和实力，无惧美国无端打压与霸权行径。凭借在科研人才、资源互补、应用市场等方面优势，中俄在半导体等关键技术领域协同发力，共享技术成果，共抵外部压力，开辟科技产业发展新路径，共同书写更加公平、合理、繁荣的全球科技发展新篇章，造福世界各国与全人类。

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